MT29C1G12MAADYAKD-5 IT
Micron
Multichip Packages存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 VFBGA-130 封装。MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/MOBILE DDR 3GMT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR2 1.5GMT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 VFBGA-130 封装。W71NW11GC1HW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。W71NW10GC1HW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。S71KL512SC0BHB003
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperFlash, HyperRAM。W25M512JVEIM
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。S71KS512SC0BHB003
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-24 封装。MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-162 封装。MT29VZZZAD8DQKSL-046 W.9K8
Micron
Multichip Packages eMCP 544Gb (2xNAND B16A TLC 256Gb+4xDRAM LPDDR4 8Gb)MT38Q3DABD-DC
Micron
Multichip Packages SERIAL/MOBILE DDR 4.5GMT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-162 封装。W25M512JVFIM
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 SOIC-16 封装。W25M121AWEIT
Winbond
主要参数包括存储容量 128 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。W25M512JVFIQ TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 SOIC-16 封装。W25M512JWEIM
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M321AVEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M512JWEIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。