MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8
Micron
Multichip Packages 536G存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR4 6GS71KL512SC0BHV003
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash, HyperRAM。W25M512JVBIQ TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M512JVCIQ TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。S71KL256SC0BHB003
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR，采用 FBGA-24 封装。W71NW20GD3DW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz, 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 8 Gbit、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2、存储器类型 Flash, LPDDR2、定时类型 Asynchronous。W71NW11HC1DW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR2 2GMT29VZZZ7D8DQFSL-046 W.9J8
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 536GMT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/MOBILE DDR 6GMT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR
Micron · 封装：BGA-240
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 BGA-240 封装。MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR
Micron · 封装：WFBGA-121
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 WFBGA-121 封装。W25M02GWTBIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M02GVTCIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。MT29VZZZAD9DQKSM-046 W.9K9
Micron
Multichip Packages eMCP 1056Gbit 254/432 VFBGA WTMT29VZZZBD9FQOPR-046 W.G9H
Micron
Multichip Packages uMCP 1072Gbit 254/432 TFBGA WTW25M512JWBIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M02GVTBIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。