MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64
Micron
Multichip Packages SERIAL/MOBILE DDR 4.25G存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W71NW10GC3DW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。W71NW10GF3FW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 533 MHz、存储容量 1 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C。W25M02GVZEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M512JWCIQ TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W71NW10GC1DW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。W25M161AVEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M02GVTBIG TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M02GVTCIG TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M512JWCIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6
Micron
Multichip Packages eMCP 144Gbit 221/308 VFBGA WTW25M02GWTCIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W71NW11GF1EW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 533 MHz、存储容量 1 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 NAND Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C。W71NW11GE1EW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 533 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C。MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit, 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-162 封装。W25M02GWTBIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W71NW11GC1DW
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 29 MHz, 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。W25M02GWTCIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。W25M02GVTCIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 TFBGA-24 封装。MT29VZZZ5D8JQFSL-053 I.95Z
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 80G型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。