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存储器

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型号列表

46,309 条型号记录
每页 20 条

F20SC-SC-558

GHI Electronics · 封装:TSSOP-20

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 22 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-20 封装。

GLS55LC200-60-I-TQWE-T

Greenliant · 封装:TQFP-100

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TQFP-100 封装。

GLS55LC200-60-C-TQWE-T

Greenliant · 封装:TQFP-100

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TQFP-100 封装。

GLS55VD020-60-I-TQWE

Greenliant · 封装:TQFP-100

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA,采用 TQFP-100 封装。

GLS55LD040M-133-C-BZJE

Greenliant · 封装:TFBGA-145

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 60 mA、最小工作温度 0 C,采用 TFBGA-145 封装。

GLS55LC200-60-C-TQWE

Greenliant · 封装:TQFP-100

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 0 C,采用 TQFP-100 封装。

GLS55LC200-60-I-TQWE

Greenliant · 封装:TQFP-100

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 TQFP-100 封装。

GLS55LD040M-133-I-BZJE

Greenliant · 封装:TFBGA-145

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 60 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 TFBGA-145 封装。

MTEDDGR008MCB-1R2 TR

Micron · 封装:BGA

该型号为存储器,采用 BGA 封装。

MTEDDGR008MCB-1R2

Micron · 封装:BGA

该型号为存储器,采用 BGA 封装。

89HF32P08G2ZABLG

IDT

该型号为存储器,主要参数包括型号别名 IDT89HF32P08G2ZABLG。

89HF16P04G2ZAALG

IDT

该型号为存储器,主要参数包括型号别名 IDT89HF16P04G2ZAALG。

89HF32P08G2ZABL

IDT

该型号为存储器,主要参数包括型号别名 IDT89HF32P08G2ZABL。

LPDDR2L-CPNX-UT

Lattice · 封装:Nonstandard

该型号为存储器,采用 Nonstandard 封装。

BQ2201SN-NTRG4

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

该型号为存储器,主要参数包括电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.002677 oz,采用 SOIC-8 封装。

PM8650A1-FEI

Microchip Technology · 封装:Nonstandard

该型号为存储器,主要参数包括存储通道数 8 个通道、存储器类型 Dynamic RAM - DRAM、类型 Dynamic RAM (DRAM)、商品名称 Flashtec,采用 Nonstandard 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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