89HF08P08AG3YAHLG
IDT · 封装：FCBGA-900
该型号为存储器，主要参数包括描述与功能 Single chip DDR3 SDRAM controller and 8-channel NAND Flash controller，采用 FCBGA-900 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS1314S+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-16 封装。PM8607B1-F3EI
Microchip / Microsemi
该型号为存储器，主要参数包括湿敏性 是。DS1321S+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-Narrow-16 封装。89HF16P04G2ZBAL
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF16P04G2ZBAL。BU9346K-E2
ROHM Semiconductor
该型号为存储器。MXD1210CSA+T
Maxim Integrated · 封装：SO-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SO-8 封装。DS1218S+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SO-8 封装。DS1312E+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 TSSOP-20 封装。GLS55VD020-60-C-TQWE
Greenliant · 封装：TQFP-100
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 0 C，采用 TQFP-100 封装。GLS55VD020-60-I-TQWE-TM024
Greenliant · 封装：TQFP-100
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA，采用 TQFP-100 封装。GLS55LD040M-133-C-BZJE-T
Greenliant · 封装：TFBGA-145
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 60 mA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TFBGA-145 封装。BQ2204ASNTR
Texas Instruments · 封装：SOP-16
该型号为存储器，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.023492 oz，采用 SOP-16 封装。89HF16P04G2ZCAL
IDT
该型号为存储器，主要参数包括型号别名 IDT89HF16P04G2ZCAL。BQ2204ASN-N
Texas Instruments · 封装：SOP-16
该型号为存储器，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.023492 oz，采用 SOP-16 封装。GLS55LD040M-133-I-BZJE-T
Greenliant · 封装：TFBGA-145
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 60 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TFBGA-145 封装。DS1312S+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-16 封装。GLS55VD020-60-C-TQWE-T
Greenliant · 封装：TQFP-100
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 0 C，采用 TQFP-100 封装。GLS55VD020-60-I-TQWE-T
Greenliant · 封装：TQFP-100
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Flash、备用电池切换 否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFP-100 封装。MXD1210ESA+T
Maxim Integrated · 封装：SO-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SO-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。