DS1218+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 PDIP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MXD1210EPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 PDIP-8 封装。DS1314+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 DIP-8 封装。DS1312S+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-16 封装。MXD1210ESA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SO-8 封装。BQ2204APN
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、存储器类型 Nonvolatile SRAM，采用 PDIP-16 封装。BQ2204ASN
Texas Instruments · 封装：SOP-16
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 SOP-16 封装。DS1321+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 PDIP-16 封装。MXD1210EWE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-Narrow-16 封装。MXD1210CSA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SO-8 封装。MXD1210CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 PDIP-8 封装。DS1321S+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-Narrow-16 封装。BQ2205LYPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、工作温度范围 - 20 C to + 70 C、存储器类型 Nonvolatile SRAM，采用 TSSOP-16 封装。DS1314S+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-16 封装。DS1321E+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 TSSOP-20 封装。DS1312+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Static RAM (SRAM)、备用电池切换 是，采用 PDIP-8 封装。BQ2205LYPWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、工作温度范围 - 20 C to + 70 C、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-16 封装。MXD1210CWE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-Narrow-16 封装。DS1314S-2+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-8 封装。BQ2205LYPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为存储器，主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、工作温度范围 - 20 C to + 70 C、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.15 mm、长度 5 mm，采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。