MR3A16AUYS45
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录MR3A16AUYS45R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR3A16AYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS3004316-045nX0PBCY
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3004316-035nX0IBCR
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3004316-045nX0ITBR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3004316-045nX0ITBY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3004316-045nX0PBCR
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。EM032LXOAB320CS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM016LXQBDH13CS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM016LXQBDH13ES1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM016LXQBDH13ES1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM016LXQBDH13IS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM032LXOAB320CS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。AS3008204-0054X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3004204-0054X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008204-0054X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008204-0054X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0054X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0108X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。