MR25H40DF
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 812 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 DFN-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录MR25H40DFR
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 812 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 DFN-8 封装。MR3A16ACMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR3A16ACMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR3A16ACYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR3A16ACYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR3A16AYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR5A16ACMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR5A16ACMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR5A16ACYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR5A16ACYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR5A16AMA35
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR5A16AMA35R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR5A16AUMA45
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR5A16AUMA45R
Everspin Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。MR5A16AUYS45
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR5A16AUYS45R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR5A16AYS35
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。MR5A16AYS35R
Everspin Technologies · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 4 Mbit、接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。