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型号列表

46,309 条型号记录
每页 20 条

GS4576C09GM-25

GSI Technology · 封装:FBGA-144

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压(最大值) 2.63 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9,采用 FBGA-144 封装。

W979H6KBVX2E

Winbond · 封装:VFBGA-134

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-134 封装。

IS45S16800F-7TLA1

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-54 封装。

W632GG6NB11I

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

W632GU6NB-11

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

W632GG6NB-11

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

W9864G6JT-6I

Winbond · 封装:TFBGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 TFBGA-54 封装。

IS43TR81024B-125KBLI

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

W9864G6JB-6

Winbond · 封装:VFBGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-60 封装。

IS45S16320F-7BLA2

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz,采用 BGA-54 封装。

IS43TR16128B-125KBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16128C-125KBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。

S70KS1281DPBHV023

Cypress Semiconductor

主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。

W9812G2KB-6I

Winbond · 封装:TFBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TFBGA-90 封装。

S70KS1281DPBHI023

Cypress Semiconductor

主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。

W632GG6NB12I

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

W9816G6JB-7I

Winbond · 封装:VFBGA-60

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-60 封装。

IS45S16320F-7TLA2

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是,采用 TSOP-54 封装。

IS42VM16400M-75BLI-TR

ISSI · 封装:$3.02

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 $3.02 封装。

W634GU6MB12I

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-96 封装。

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