GS4576C09GM-25
GSI Technology · 封装:FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压(最大值) 2.63 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9,采用 FBGA-144 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
GSI Technology · 封装:FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压(最大值) 2.63 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9,采用 FBGA-144 封装。Winbond · 封装:VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-134 封装。ISSI · 封装:TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-54 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 TFBGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-60 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。Winbond · 封装:TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TFBGA-90 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-60 封装。ISSI · 封装:TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是,采用 TSOP-54 封装。ISSI · 封装:$3.02
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 $3.02 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。