EM064LXQADG13CS2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。存储器
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46,309 条型号记录EM064LXQADG13CS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM064LXQADG13ES1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM064LXQADG13ES1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM064LXQADG13ES2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM064LXQADG13ES2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM128LXOAB320CS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320CS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320CS2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320CS2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320ES2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320ES2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320IS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320IS2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXOAB320IS2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXQAB313CS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXQAB313CS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXQAB313CS2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXQAB313CS2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。EM128LXQAB313ES2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8、工作电源电流 125 mA, 157 mA，采用 BGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。