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EM008LXQBB313CS1T

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313CS2R

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313CS2T

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313ES1R

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313ES1T

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313ES2R

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313IS1R

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313IS1T

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313IS2R

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBB313IS2T

Everspin Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。
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EM008LXQBDH13CS1R

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13CS1T

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13CS2R

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13CS2T

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13ES1R

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13ES1T

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13ES2R

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13ES2T

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13IS1R

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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EM008LXQBDH13IS1T

Everspin Technologies · 封装：DFN-8

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。
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