AS3004101-0050X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录AS3004101-0050X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3004101-0050X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3004101-0050X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3004204-0054X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3004204-0054X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3004204-0054X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3004204-0054X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3004204-0054X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3004204-0054X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3032316-045nX0PBCR
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3032316-045nX0PBCY
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3032316-045nX0PTBR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3032316-045nX0PTBY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。EM004LXQBDH13CS1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM004LXQBDH13CS2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM004LXQBDH13CS2T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM004LXQBDH13ES1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM004LXQBDH13ES1T
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。EM004LXQBDH13ES2R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。