AS1016204-0108X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 QSPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS3001101-0050X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001101-0050X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001101-0050X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001101-0050X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001101-0050X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001101-0050X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001101-0050X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001101-0050X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001204-0054X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001204-0054X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001204-0054X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001204-0054X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001204-0054X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001204-0054X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001204-0108X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001204-0108X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3001204-0108X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001204-0108X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3001204-0108X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 128 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。