W97AH6KBVX2E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S27KS0641DPBHA020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperRAM。W631GG8MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。IS43R16160F-5TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43DR16160B-3DBL
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。W979H2KBVX2E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W632GG6NB-09
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W948D6KBHX5E
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。IS43R16160F-5BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR
Micron · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W631GU6MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W631GU6MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W9725G6KB-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 16 M x 16，采用 WBGA-84 封装。IS49RL18320-125BL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS43DR82560C-3DBL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。W631GG6MB-11
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W979H6KBVX2I
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。MT41K128M8DA-107 AIT:J TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS42S16320D-6BL
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43R16320E-5TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。