AS3008204-0108X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS3008204-0108X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0108X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0108X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008204-0108X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008204-0108X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0108X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008316-035nX0IBCR
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3008316-035nX0IBCY
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3008316-035nX0ITBR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3008316-035nX0ITBY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3008316-035nX0PBCR
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3008316-035nX0PBCY
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3008316-035nX0PTBR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3008316-035nX0PTBY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3008316-045nX0PBCY
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3008316-045nX0PTBR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3008316-045nX0PTBY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3016101-0050X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3016101-0050X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。