AS3004316-035nX0PTAR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS3004316-035nX0PTAY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。AS3004316-045nX0IBCR
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3004316-045nX0IBCY
Avalanche Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-48 封装。AS3004316-045nX0ITAR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。AS3004316-045nX0PTAY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。AS3004316-045nX0PTBR
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3004316-045nX0PTBY
Avalanche Technology · 封装：TSOP-54
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS3008101-0050X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008101-0050X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008101-0050X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008101-0050X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008101-0050X0PSAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008101-0050X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008101-0050X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008101-0050X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0054X0ISAR
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008204-0054X0ISAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。AS3008204-0054X0IWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS3008204-0054X0IWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 1 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。