AS1004204-0054X0PSAY
Avalanche Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS1004204-0054X0PWAR
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。AS1004204-0054X0PWAY
Avalanche Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 QSPI、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。EM004LXOBB320CS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320CS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320CS2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320CS2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320ES1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320ES1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXQBB313CS2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320ES2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320ES2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320IS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320IS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320IS2R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXOBB320IS2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXQBB313CS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXQBB313CS1T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXQBB313CS2T
Everspin Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 BGA-24 封装。EM004LXQBDH13CS1R
Everspin Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8、工作电源电流 124 mA, 156 mA，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。