W632GG6NB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录W632GU6NB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W978H2KBVX1E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H6KBVX1E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W632GU8NB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GG8NB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8NB-11
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。IS45S16100H-7TLA2
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。AS4C8M16D1-5BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。W632GU6NB11I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W971GG8SS-25
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W632GG6NB-15
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W632GU6NB-15
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W9864G6JB-6I
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W631GG6MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W9725G6KB-18
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 16 M x 16，采用 WBGA-84 封装。W9816G6JB-5
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W9464G6KH-5I
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS49RL18320-093BL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS42S83200G-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。