7201LA12PDG
IDT · 封装:PDIP-28
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 3.8 mm、长度 36.6 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7201 IDT7201LA12PDG,采用 PDIP-28 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:PDIP-28
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 3.8 mm、长度 36.6 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7201 IDT7201LA12PDG,采用 PDIP-28 封装。IDT · 封装:CABGA-100
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、高度 1.4 mm、长度 11 mm、宽度 11 mm、湿敏性 是,采用 CABGA-100 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 72 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:TQFP-120
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是,采用 TQFP-120 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 18 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 15 MHz、存储容量 9 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:TSSOP-56
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 9 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 TSSOP-56 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 2.79 mm、长度 13.97 mm、宽度 11.43 mm、湿敏性 是,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:PDIP-28
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 3.3 mm、长度 34.3 mm、宽度 7.62 mm、型号别名 7203 IDT7203L15TPGI,采用 PDIP-28 封装。IDT
FIFO 512 x 9 AsyncFIFO 5.0V 9 Dual 12nsIDT · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 SOIC-28 封装。IDT · 封装:PBGA-144
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、高度 1.76 mm、长度 13 mm、宽度 13 mm、湿敏性 是,采用 PBGA-144 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 2.79 mm、长度 13.97 mm、宽度 11.43 mm、湿敏性 是,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 144 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 SOIC-28 封装。IDT · 封装:PDIP-28
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 36 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PDIP-28 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 144 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。Texas Instruments · 封装:TQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 36 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~3.6 V、定时类型 Synchronous,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 4 k x 8,采用 TQFP-64 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。