723622L15PFG
IDT · 封装:TQFP-120
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 723622 IDT723622L15PFG,采用 TQFP-120 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:TQFP-120
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 723622 IDT723622L15PFG,采用 TQFP-120 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 72255 IDT72255LA10PFG、单件重量 0.012720 oz,采用 TQFP-64 封装。Texas Instruments · 封装:LQFP-80
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 144 kbit、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、工作电源电压 3.3 V、定时类型 Synchronous,采用 LQFP-80 封装。IDT · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 16 位,采用 SOIC-28 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 72831 IDT72831L10PFG,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:TSSOP-56
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位、总线方向 Bidirectional,采用 TSSOP-56 封装。Texas Instruments · 封装:LQFP-80
主要参数包括最大时钟频率 66.7 MHz、存储容量 1.125 Mbit、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、工作电源电压 3.3 V、定时类型 Synchronous,采用 LQFP-80 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 72V801 IDT72V801L15PFGI,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、高度 1.4 mm、长度 10 mm、宽度 10 mm、湿敏性 是,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:TQFP-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 72 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。IDT · 封装:TQFP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 1.4 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是,采用 TQFP-32 封装。IDT · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 72 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 PLCC-32 封装。Texas Instruments · 封装:TQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 72 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~3.6 V、定时类型 Synchronous,采用 TQFP-64 封装。IDT · 封装:SOIC-28
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 2.62 mm、长度 17.9 mm、宽度 8.4 mm、湿敏性 是,采用 SOIC-28 封装。IDT · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 9 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 SOIC-28 封装。IDT · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 9 位,采用 SOIC-28 封装。IDT · 封装:TQFP-120
主要参数包括最大时钟频率 83 MHz、存储容量 72 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 36 位,采用 TQFP-120 封装。IDT · 封装:TQFP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、高度 1.4 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是,采用 TQFP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。