MB85RS64PNF-G-AMERE2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MB85RS64PNF-G-JNE1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。FM25CL64B-DGTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM18W08-SG
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM22L16-55-TG
Infineon Technologies · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。FM24CL16B-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 DFN-8 封装。FM24CL16B-DGTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 DFN-8 封装。FM24CL16B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。FM24CL16B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。FM24CL64B-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 I2C，采用 DFN-8 封装。FM25CL64B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM28V020-TGTR
Infineon Technologies · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-32 封装。FM25CL64B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25L04B-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM25L04B-DGTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3 V、工作电源电压 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 DFN-8 封装。FM25V10-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V10-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V20A-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM25V20A-DGQ
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 DFN-8 封装。FM25V20A-DGQTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、原产国家或地区 美国、湿敏性 是，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。