MB85RS4MTPF-G-BCERE1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz, 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MB85RS4MTYPF-G-BCE1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。MB85RS4MTYPF-G-BCERE1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。MB85RS4MTYPN-G-AWERE1
RAMXEED · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512LYPNF-G-BCE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本。MB85RS512LYPNF-GS-BCE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本。MB85RS512TYPN-GS-AWE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TPNF-G-AME2
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TYPN-G-AME1
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主要参数包括原产国家或地区 日本。MB85RS512TYPN-G-AMEWE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本。MB85RS512TYPN-G-AWE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TYPN-G-AWEWE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TYPN-GS-AME1
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主要参数包括原产国家或地区 日本。MB85RS512TYPN-GS-AMEWE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本。MB85RS512TYPNF-G-BCE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TYPNF-G-BCERE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TYPNF-GS-BCE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS512TYPNF-GS-BCERE1
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RS64PNF-G-AME2
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主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。