MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1
RAMXEED · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 SPI,采用 DFN-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
RAMXEED · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 SPI,采用 DFN-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz, 40 MHz、原产国家或地区 日本、湿敏性 是,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI,采用 DFN-8 封装。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 k x 8,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 k x 8,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 30 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 30 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SON-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI,采用 SON-8 封装。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 FeRAM。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 FeRAM。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.8~3.6 V、接口类型 SPI,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.8~3.6 V、接口类型 SPI,采用 SOP-8 封装。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。