CY15B004Q-SXE
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz, 16 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录FM24V01A-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 16 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25640B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25L04B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CY15V102QN-50SXI
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15V116QSN-108BKXI
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Quad SPI，采用 FBGA-24 封装。CY15B104QI-20LPXC
Infineon Technologies · 封装：GQFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI，采用 GQFN-8 封装。FM31256-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-14 封装。CY15B102QN-50LHXI
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 DFN-8 封装。CY15B256Q-SXE
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25V10-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。CY15B064Q-SXA
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CY15B256Q-SXA
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、原产国家或地区 TH、湿敏性 是、单件重量 0.000257 oz，采用 SOIC-8 封装。CY15B256Q-SXAT
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15V102QSN-108SXI
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、接口类型 Quad SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15E004Q-SXE
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CY15E016Q-SXE
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CY15E064J-SXA
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。TMF0008PSR
Texas Instruments · 封装：SO-8
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 3.13 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial、存储组织结构 1 k x 8，采用 SO-8 封装。MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。