FM25V20A-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录FM25V20A-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25VN10-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25VN10-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25W256-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25W256-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM28V020-SG
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM28V020-SGTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM28V020-TG
Infineon Technologies · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-32 封装。FM31256-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-14 封装。FM31278-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-14 封装。FM3164-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-14 封装。FM31L278-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-14 封装。FM28V100-TGTR
Infineon Technologies · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSOP-32 封装。CY15B104Q-SXI
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CY15B201QN-50SXE
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CY15B204QN-40SXET
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、原产国家或地区 美国、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。CY15B016Q-SXE
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM24C16B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。CY15B256J-SXA
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。