FM25640B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录FM25C160B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 15 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25C160B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 15 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25CL64B-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM25L04B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25L16B-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM25L16B-DGTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM25L16B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25L16B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V01A-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V01A-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25V02A-DG
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。FM25V02A-DGQ
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 DFN-8 封装。FM25V02A-DGQTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、原产国家或地区 TH、湿敏性 是，采用 DFN-8 封装。FM25V02A-DGTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 DFN-8 封装。FM25V02A-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V05-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V05-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V10-DGTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。FM25V20A-DGTR
Infineon Technologies · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz, 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。