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FM24C64B-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24C64B-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24CL04B-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24CL04B-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24CL64B-DGTR

Infineon Technologies · 封装:DFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 2.7~3.6 V、接口类型 I2C,采用 DFN-8 封装。

FM24CL64B-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24CL64B-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24V01A-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24V02A-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24V02A-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 32 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM24V05-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24V05-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24V10-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24V10-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24VN10-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24VN10-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。

FM24W256-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM24W256-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3~5 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

FM25040B-G

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI,采用 SOIC-8 封装。

FM25040B-GTR

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI,采用 SOIC-8 封装。

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