MB85RC04VPNF-G-AMERE2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MB85RC04VPNF-G-JNE1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOP-8 封装。MB85RC04VPNF-G-JNERE1
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOP-8 封装。MB85RC128APNF-G-AME2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RC128APNF-G-AMERE2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RC16PN-G-AMERE1
RAMXEED · 封装：SON-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 SON-8 封装。MB85RC16PNF-G-AME2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 FeRAM。MB85RC16PNF-G-AMERE2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 FeRAM。MB85RC16VPNF-G-AME2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RC16VPNF-G-AMERE2
RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。MB85RC16VPNF-G-AWE2
RAMXEED · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOP-8 封装。FM1808B-SG
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM1808B-SGTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM18W08-SGTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM22L16-55-TGTR
Infineon Technologies · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。FM22LD16-55-BG
Infineon Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16，采用 BGA-48 封装。FM22LD16-55-BGTR
Infineon Technologies · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16，采用 BGA-48 封装。FM24C04B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。FM24C04B-GTR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。FM24C16B-G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。