CY15B108QI-20LPXCES
Cypress Semiconductor · 封装:GQFN-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.8~3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1024 k x 8,采用 GQFN-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor · 封装:GQFN-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.8~3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1024 k x 8,采用 GQFN-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:GQFN-8
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.8~3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1024 k x 8,采用 GQFN-8 封装。Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。RAMXEED · 封装:FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、访问时间 65 ns,采用 FBGA-48 封装。RAMXEED · 封装:TSOP-44
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、访问时间 65 ns,采用 TSOP-44 封装。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。RAMXEED · 封装:TSOP-44
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 M x 8、访问时间 65 ns,采用 TSOP-44 封装。RAMXEED · 封装:TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 TSOP-48 封装。RAMXEED · 封装:TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 k x 16,采用 TSOP-48 封装。RAMXEED · 封装:TSOP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 TSOP-28 封装。RAMXEED · 封装:TSOP-44
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16,采用 TSOP-44 封装。RAMXEED · 封装:FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 M x 8、访问时间 65 ns,采用 FBGA-48 封装。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2.7~3.6 V、接口类型 I2C,采用 SOP-8 封装。RAMXEED · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2.7~3.6 V、接口类型 I2C,采用 SOP-8 封装。RAMXEED
主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。