FM25V02A-GTR
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录FM24CL64B-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM24V05-GTR
Cypress Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 2～3.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。FM25V10-PG
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25040B-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15E064Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25V02A-DGQ
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.001506 oz。CY15E004Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B004Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B064Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15E016Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25V10-DG
Cypress Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 DFN-8 封装。CY15B128Q-SXA
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。CY15B256Q-SXE
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。CY15E064J-SXA
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15E064J-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B016Q-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15V102QN-50SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.71～1.89 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。MR48V256CTAZAARL
ROHM Semiconductor · 封装：TSOPI-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOPI-28 封装。CY15B128Q-SXE
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。