芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

46,309 条型号记录

每页 20 条

FM25L04B-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM25L16B-GTR

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM24CL16B-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM24C16B-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM25L16B-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、类型 Nonvolatile RAM，采用 SOIC-8 封装。

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FM24CL16B-GTR

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM28V020-SGTR

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-28

主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-28 封装。

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FM24V02A-GTR

Cypress Semiconductor

主要参数包括湿敏性是。

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FM25C160B-GTR

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM24C04B-GTR

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM28V100-TGTR

Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSOP-32 封装。

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FM1808B-SG

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-28

主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-28 封装。

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FM22L16-55-TG

Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-44

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、类型 FRAM，采用 TSOP-44 封装。

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FM28V100-TG

Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-32

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FM25V20A-DGQ

Cypress Semiconductor · 封装：DFN-8

主要参数包括湿敏性是、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。

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FM25V10-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM24V10-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM25W256-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM25V05-G

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 k x 8，采用 SOIC-8 封装。

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FM25W256-GTR

Cypress Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 3～5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性是、单件重量 0.000257 oz。

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