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型号列表

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FM24VN10-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C、存储组织结构 128 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM25V20A-GTR

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM25V20A-DG

Cypress Semiconductor · 封装:TDFN-8

主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SPI, SDI、存储组织结构 256 k x 8,采用 TDFN-8 封装。

FM18W08-SG

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-28

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 SOIC-28 封装。

FM25V20A-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2~3.6 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SPI, SDI、存储组织结构 256 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM25V05-GTR

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM28V020-SG

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-28

主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-28 封装。

FM25VN10-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM24V10-GTR

Cypress Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 2~3.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。

FM16W08-SG

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-28

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8,采用 SOIC-28 封装。

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor · 封装:DFN-8

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8,采用 DFN-8 封装。

FM24W256-GTR

Cypress Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 3~5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.000257 oz。

FM24W256-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 32 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM24V02A-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C、存储组织结构 32 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM25640B-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI、类型 Nonvolatile RAM,采用 SOIC-8 封装。

FM25CL64B-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM25CL64B-GTR

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM24CL04B-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 512 x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM24CL04B-GTR

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 512 x 8,采用 SOIC-8 封装。

FM24C64B-G

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 8 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

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