CY15B104QSN-108SXI
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录FM25L16B-DGTR
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 TDFN-8 封装。FM25L04B-DG
Cypress Semiconductor · 封装：TQFN-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 x 8，采用 TQFN-8 封装。FM25L16B-DG
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 TDFN-8 封装。FM18W08-SGTR
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM25C160B-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM24C04B-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。CY15B004J-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。FM28V020-T28G
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-28 封装。FM24CL16B-DGTR
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 TDFN-8 封装。FM16W08-SGTR
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-28 封装。FM25CL64B-DGTR
Cypress Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。FM28V102A-TG
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 k x 16，采用 TSOP-44 封装。FM24CL64B-DGTR
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 8 k x 8、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TDFN-8 封装。FM25040B-GTR
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。FM24C64B-GTR
Cypress Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.000257 oz。FM24C16B-GTR
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM24CL64B-DG
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 8 k x 8、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TDFN-8 封装。FM24V05-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C、存储组织结构 64 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM24CL16B-DG
Cypress Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 TDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。