DS2505+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TO-92-3 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS2502S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。DS2502S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。DS2505+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TO-92-3 封装。DS2505P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TSOC-6 封装。AT27C512R-70PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-28
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 OTP，采用 PDIP-28 封装。AT27C512R-70JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 OTP，采用 PLCC-32 封装。AT27C512R-70JU-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 OTP，采用 PLCC-32 封装。DS2502P-E64+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 768 位、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOC-6 封装。AT27LV010A-70JU-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Parallel、类型 OTP，采用 PLCC-32 封装。AT27LV020A-12JU-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 Parallel、类型 OTP，采用 PLCC-32 封装。MR45V100AMAZAATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOP-8 封装。FM25V01A-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 k x 8，采用 SOIC-8 封装。MR44V064BMAZAATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOP-8 封装。MR45V256AMAZAAT-L
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。CY15B064J-SXE
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CG8867AF
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。CY15B256Q-SXA
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.000257 oz。FM24V01A-G
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 I2C、类型 Serial F-RAM、存储组织结构 16 k x 8，采用 SOIC-8 封装。FM25V01A-GTR
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。