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AT24CS08-MAHM-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 UDFN-8 封装。

AT24CS08-SSHM-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 1 k x 8,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24CS08-SSHM-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT25080B-XHL-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 TSSOP-8 封装。

AT24CSW080-STUM-T

Microchip Technology · 封装:TSOT-23-5

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSOT-23-5 封装。

AT25080B-MAHL-E

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 SPI,采用 UDFN-8 封装。

AT25080B-MAHL-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 UDFN-8 封装。

AT25080B-MAPDGV-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 UDFN-8 封装。

AT25080B-SSHL-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT25080B-SSHL-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT25080B-SSPDGV-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 SOIC-8 封装。

AT25080B-XHL-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 TSSOP-8 封装。

AT25080B-XPDGV-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 TSSOP-8 封装。

AT24C16C-SSPD-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。

24CS256-I/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括原产国家或地区 TH,采用 SOIC-8 封装。

AT21CS11-STU11-T

Microchip Technology · 封装:SOT-23-3

主要参数包括电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 4.5 V、工作电源电压 2.7~4.5 V、接口类型 I2C、数据保持时间 100 Year、最小工作温度 - 40 C,采用 SOT-23-3 封装。

AT25128B-XHL-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 TSSOP-8 封装。

AT25128B-SSHL-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT25128B-SSPDGV-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 SOIC-8 封装。

AT25128B-XHL-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 TSSOP-8 封装。

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