MT48LC8M16A2P-6A IT:L
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT47H64M16NF-25E AIT:M
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT47H128M8SH-25E:M
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT41K128M16JT-125:K TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K128M16JT-125 AIT:K
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT48LC8M16A2P-6A:L
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT40A1G8WE-075E:D
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT46H16M32LFB5-5 IT:C
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。EDB1316BDBH-1DIT-F-R
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H2KBQX2I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH2KBVX1E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W9751G6KB25I TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16，采用 WBGA-84 封装。IS42S81600F-7TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT40A512M8SA-062E IT:F
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。MT46H32M32LFB5-5 AIT:B
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。S27KL0641DABHB023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperRAM。W971GG6SB-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 64 M x 16，采用 WBGA-84 封装。IS43LR32640A-5BL
ISSI · 封装：WBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 WBGA-90 封装。IS46DR16640C-25DBLA1
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS43TR16640B-125JBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。