S-93C56CD0H-K8T2U3
ABLIC
主要参数包括原产国家或地区 日本。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S-93C56CD0H-T8T2U3
ABLIC
主要参数包括原产国家或地区 日本。S-93C66CD0H-A8T1U3
ABLIC
主要参数包括原产国家或地区 日本。S-93C66CD0H-J8T2U3
ABLIC
主要参数包括原产国家或地区 日本。AT24C08C-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C08D-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C08C-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C08C-STUM-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT24C08C-XHM-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24C08C-XHM-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24C08D-MAHM-E
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C08D-MAHM-T
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C08D-PUM
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。AT24C08D-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。X28HC256PIZ-12
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PDIP-28 封装。X28HC256PZ-12
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PDIP-28 封装。X28HC64PZ-12
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 PDIP-28 封装。24FC16H-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。AT24CS02-XHM-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.082453 oz，采用 TSSOP-8 封装。AT25M02-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。