S-25A080A0A-T8T2UD
ABLIC
主要参数包括原产国家或地区 日本。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S-25A080B0A-J8T2U3
ABLIC
主要参数包括原产国家或地区 日本。AT24C32D-MAHM-T
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C32D-MAHM-E
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C32D-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C32E-STUM-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOT-23-5 封装。AT24C32D-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C32D-STUM-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT24C32D-XHM-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24C32D-XHM-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24C32E-MAHM-T
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 UDFN-8 封装。AT24C32E-PUM
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 PDIP-8 封装。AT24C32E-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C32E-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C32E-XHM-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。AT25320B-MAHL-E
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI，采用 UDFN-8 封装。AT24C32E-XHM-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。AT24CS32-MAHM-E
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 UDFN-8 封装。AT24CS32-MAHM-T
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24CS32-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。