AT28C256F-15DM/883-815
Microchip Technology · 封装:DIP-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 DIP-28 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:DIP-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 DIP-28 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 PLCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、接口类型 Parallel,采用 PLCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 PLCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:LCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 LCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 SOIC-28 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 SOIC-28 封装。Microchip Technology · 封装:PGA-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 PGA-28 封装。Microchip Technology · 封装:CDIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 CDIP-28 封装。Microchip Technology · 封装:FlatPack-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 FlatPack-28 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 PLCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:LCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 LCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 SOIC-28 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 SOIC-28 封装。Microchip Technology · 封装:PGA-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8,采用 PGA-28 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 PLCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。