AT28C256-25DM/883-815
Microchip Technology · 封装:DIP-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 DIP-28 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:DIP-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 DIP-28 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 256 x 8,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOT-23-5 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 256 x 8,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 SPI,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 6.5 V、接口类型 I2C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Microchip Technology · 封装:Wafer
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 Wafer 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。