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AT21CS01-MCHM10-T

Microchip Technology · 封装:VSFN-2

主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year,采用 VSFN-2 封装。

AT21CS11-SSH10-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 4.5 V、工作电源电压 2.7~4.5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8,采用 SOIC-8 封装。

25CS320-H/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

AT21CS11-SSH10-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 4.5 V、工作电源电压 2.7~4.5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8,采用 SOIC-8 封装。

AT21CS11-STU10-T

Microchip Technology · 封装:SOT-23-3

主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 4.5 V、工作电源电压 2.7~4.5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8,采用 SOT-23-3 封装。

AT93C46E-TH-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。

AT93C46E-TH-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。

AT93C46EN-SH-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT93C46EN-SH-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

25CS320-E/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8,采用 MSOP-8 封装。

25CS320-E/ST

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8,采用 TSSOP-8 封装。

AT28C64B-15SU

Microchip Technology · 封装:SOIC-28

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 SOIC-28 封装。

AT25128B-MAHL-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 UDFN-8 封装。

AT28C64B-15SU-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-28

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 SOIC-28 封装。

AT24C128C-MAHM-E

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 UDFN-8 封装。

AT24C128C-MAHM-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 UDFN-8 封装。

AT24C128C-SSHM-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24C128C-SSHM-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24C128C-XHM-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

AT24C128C-XHM-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

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