AT21CS01-TOHM10-B
Microchip Technology · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 1-Wire, I2C、存储组织结构 128 x 8，采用 TO-92-3 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT21CS11-MSH10-B
Microchip Technology · 封装：XSFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 4.5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 XSFN-2 封装。24CS64-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 PDIP-8 封装。24CS64T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIJ-8 封装。24CS64-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIJ-8 封装。24CS64-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。24CS64-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 MSOP-8 封装。24CS64-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 PDIP-8 封装。24CS64-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIJ-8 封装。24CS64-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。24CS64T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 MSOP-8 封装。24CS64T-E/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 UDFN-8 封装。24CS64T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-MSHM10-T
Microchip Technology · 封装：XSFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8，采用 XSFN-2 封装。24CS64T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOT-23-5 封装。24CS64T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8，采用 UDFN-8 封装。24FC01-E/SN36KVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。24FC01T-E/Q6B36KVAO
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24FC01T-E/ST36KVAO
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT21CS01-MCHM10-B
Microchip Technology · 封装：VSFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 VSFN-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。