DS28E22P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 8，采用 TSOC-6 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS28E22P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 8，采用 TSOC-6 封装。DS28EL15Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 512 位、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 64 x 8、数据保持时间 10 Year，采用 TDFN-6 封装。X28HC256JZ-90T1
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC64JIZ-12T1
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC64JIZ-90T1
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC64PIZ-12
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 PDIP-28 封装。X28HC64SIZ-12
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-28 封装。X28HC256JIZ-90
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC256JIZ-12
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC256JIZ-12T1
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC256JIZ-15
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT21CS01-SSHM10-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8，采用 SOIC-8 封装。AT21CS11-MSH10-T
Microchip Technology · 封装：XSFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 4.5 V、工作电源电压 2.7～4.5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8，采用 XSFN-2 封装。AT21CS01-SSHM10-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-SSHM11-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-STUM14-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-STUM15-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-STUM16-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-STUM17-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。