AT28HC256E-90JU-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT28HC256E-90LM/883
Microchip Technology · 封装：LCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 LCC-32 封装。AT28HC256E-90SU
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel，采用 SOIC-28 封装。AT28HC256E-90SU-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。AT28HC256E-90UM/883
Microchip Technology · 封装：PGA-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PGA-28 封装。AT28HC256F-12DM/883
Microchip Technology · 封装：CDIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 CDIP-28 封装。AT28HC256F-12FM/883
Microchip Technology · 封装：FlatPack-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 FlatPack-28 封装。AT28HC256F-12LM/883
Microchip Technology · 封装：LCC-32
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel，采用 LCC-32 封装。M24128-UFMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括原产国家或地区 中国。AT25M02-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI，采用 SOIC-8 封装。DS2430AP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 32 x 8，采用 TSOC-6 封装。DS2430AP+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 32 x 8，采用 TSOC-6 封装。DS2431+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TO-92-3 封装。DS2431+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TO-92-3 封装。DS2431G+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 SFN-2 封装。DS2431P+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。DS2431P-A1+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。DS28E15G+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 512 位、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 2、数据保持时间 10 Year，采用 SFN-2 封装。DS28E15P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 512 位、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 2、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。DS28E15Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 512 位、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 2、数据保持时间 10 Year，采用 TDFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。