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AT93C86A-10PU-1.8

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括最大时钟频率 250 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 PDIP-8 封装。

AT93C86A-10PU-2.7

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 PDIP-8 封装。

AT93C86A-10SU-1.8

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 250 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT93C86A-10SU-1.8-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire,采用 SOIC-8 封装。

AT24CM01-XHD-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

AT28C010-12FM/883

Microchip Technology · 封装:FlatPack-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 FlatPack-32 封装。

AT24CM01-XHM-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

AT24CM01-XHM-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

AT25M01-SHM-B

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI、存储组织结构 128 k x 8,采用 SOIJ-8 封装。

AT25M01-SHM-T

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI、存储组织结构 128 k x 8,采用 SOIJ-8 封装。

AT25M01-SSHM-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI、存储组织结构 128 k x 8,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT25M01-SSHM-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI、存储组织结构 128 k x 8,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT28C010-12DM/883

Microchip Technology · 封装:CDIP-32

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 CDIP-32 封装。

AT28C010-12EM/883

Microchip Technology · 封装:CLCC-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 CLCC-32 封装。

AT28C010-15TU

Microchip Technology · 封装:TSOP-32

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel,采用 TSOP-32 封装。

AT28C010E-12DM/883

Microchip Technology · 封装:CDIP-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 CDIP-32 封装。

AT28C010-15TU-T

Microchip Technology · 封装:TSOP-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 TSOP-32 封装。

AT28C010-15UM/883

Microchip Technology · 封装:PGA-30

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 PGA-30 封装。

AT28C010-20DM/883

Microchip Technology · 封装:CDIP-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 CDIP-32 封装。

AT28C010-20EM/883

Microchip Technology · 封装:CLCC-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 CLCC-32 封装。

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