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AT24C16D-PUM

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 PDIP-8 封装。

AT24C16D-SSHM-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24C16D-SSHM-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24C16D-STUM-T

Microchip Technology · 封装:SOT-23-5

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOT-23-5 封装。

AT24C16D-XHM-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

AT25160B-SSHL-B

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24CS16-MAHM-E

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8,采用 UDFN-8 封装。

AT24CS16-MAHM-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 UDFN-8 封装。

AT24CS16-SSHM-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT24CS16-STUM-T

Microchip Technology · 封装:SOT-23-5

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 SOT-23-5 封装。

AT24CS16-XHM-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8,采用 TSSOP-8 封装。

AT24CS16-XHM-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。

AT25160B-MAHL-E

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 SPI,采用 UDFN-8 封装。

AT25160B-MAHL-T

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 UDFN-8 封装。

AT25160B-SSHL-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT93C86A-10SU-2.7

Microchip Technology · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

AT25160B-SSPDGV-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 SOIC-8 封装。

AT25160B-XHL-B

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 TSSOP-8 封装。

AT25160B-XHL-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI,采用 TSSOP-8 封装。

AT25160B-XPDGV-T

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 TSSOP-8 封装。

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