AT24CS01-STUM-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT24C01D-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C01D-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24C01D-STUM-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT24C01D-XHM-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24C01D-XHM-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24CS01-MAHM-T
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24CS01-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 128 x 8，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24CS01-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。25CS640-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 MSOP-8 封装。AT24C64B-10TU-1.8
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25CS640-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。25CS640-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。25CS640-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。25CS640T-E/MWF36KVAO
Microchip Technology · 封装：VDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 VDFN-8 封装。25CS640T-E/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 UDFN-8 封装。25CS640T-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。25CS640T-H/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。25CS640T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 UDFN-8 封装。AT24CS64-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。