AT24C02C-XHM-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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46,309 条型号记录AT24C02C-XHM-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24C02D-MAHM-E
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C02D-MAHM-T
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24CSW020-STUM-T
Microchip Technology · 封装：TSOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSOT-23-5 封装。AT24MAC402-STUM-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT24HC02C-PUM
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。AT24HC02C-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24HC02C-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT21CS01-SSHM12-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-STUM13-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-SSHM13-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-SSHM14-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-SSHM15-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-SSHM16-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-SSHM17-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-STUM10-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-STUM11-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-STUM12-T
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 SOT-23-3 封装。AT24C01D-PUM
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。