MT47H64M8SH-25E:H
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT47H64M8SH-25E IT:H
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT53E128M32D2DS-053 AAT:A
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。MT41K512M8DA-107 AAT:P
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括湿敏性 是，采用 FBGA-78 封装。IS42S32800G-6BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。MT47H256M8EB-25E:C
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT41K512M8DA-107 AIT:P
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括湿敏性 是，采用 FBGA-78 封装。MT48LC32M8A2P-6A:G
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。MT46V16M16P-5B XIT:M
Micron · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。MT47H128M16RT-25E AIT:C
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT41K64M16TW-107 XIT:J
Micron · 封装：FBGA-96
采用 FBGA-96 封装。MT53D512M32D2DS-046 AAT:D
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPW9825G2JB-6I
Winbond · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。MT47H32M16NF-25E AAT:H
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT46V16M16CY-5B IT:M
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPMT53D512M32D2DS-046 IT:D
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。MT53D1024M32D4DT-053 WT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT53D512M32D2DS-046 WT:D
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。