24CS256T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOT-23-5 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24CS256T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24FC256T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。24FC256T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT25010B-XHL-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI，采用 TSSOP-8 封装。AT93C46E-PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。AT25010B-XPD-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。AT93C46D-PU
Microchip Technology · 封装：DIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 DIP-8 封装。AT93C46D-TH-B
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。AT93C46D-TH-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。AT93C46DN-SH-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT93C46DN-SH-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT93C46DY6-YH-E
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 UDFN-8 封装。AT93C46DY6-YH-T
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。25CS320T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8，采用 MSOP-8 封装。25CS320T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。25CS320T-E/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8，采用 UDFN-8 封装。25CS320T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-8 封装。25CS320T-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。25CS320T-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。